欢迎来到ICBOM!
简体中文
  • 在线咨询
  • 服务热线

    服务热线

    手机:

    座机:

    服务时间

    投诉通道

    投诉电话:

    投诉邮箱:

  • 用户中心
  • 收起
首页 /明细
注:图像仅供参考,请参阅产品规格
SI2323DS-T1-E3
描述
MOSFET 20V 3.7A 0.039Ohm
型号
SI2323DS-T1-E3
类别
电子元器件
批次
-
库存
49754
品牌
VISHAY(威世)
数据手册
数据手册 -
最小包装
3000 / pcs
起订量
1
价格
大陆(含税)
3000+
¥0
采购数量
交货地
合计
¥0
数据规格
产品属性 属性值
封装 Reel
标准包装数量 3000
Rohs
制造商 Vishay
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
封装 / 箱体 SOT-23-3
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压 20 V
Id-连续漏极电流 4.7 A
Rds On-漏源导通电阻 39 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压 4.5 V
Vgs th-栅源极阈值电压 400 mV
Qg-栅极电荷 19 nC
最小工作温度 - 55 C
最大工作温度 + 150 C
Pd-功率耗散 1.25 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
高度 1.45 mm
长度 2.9 mm
系列 SI2
晶体管类型 1 P-Channel
宽度 1.6 mm
正向跨导 - 最小值 16 S
下降时间 48 ns
上升时间 43 ns
典型关闭延迟时间 71 ns
典型接通延迟时间 25 ns
零件号别名 SI2323DS-E3
单位重量 40 mg