数据规格
产品属性 | 属性值 |
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封装 | Reel |
标准包装数量 | 5000 |
Rohs | 是 |
制造商 | Nexperia |
产品种类 | MOSFET |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 / 箱体 | DFN-1010D-3 |
通道数量 | 1 Channel |
晶体管极性 | P-Channel |
Vds-漏源极击穿电压 | 20 V |
Id-连续漏极电流 | 2.9 A |
Rds On-漏源导通电阻 | 950 mOhms |
Vgs - 栅极-源极电压 | 8 V |
Vgs th-栅源极阈值电压 | 400 mV |
Qg-栅极电荷 | 6.8 nC |
最小工作温度 | - 55 C |
最大工作温度 | + 150 C |
Pd-功率耗散 | 1.07 W |
配置 | Single |
通道模式 | Enhancement |
正向跨导 - 最小值 | 8.4 S |
下降时间 | 15 ns |
上升时间 | 19 ns |
典型关闭延迟时间 | 29 ns |
典型接通延迟时间 | 6 ns |
单位重量 | 1.280 mg |
数据表
数据表 | 数据表(PDF) |
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产品合规性
CNHTS | 8541290000 |
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CAHTS | 8541210000 |
USHTS | 8541290095 |
JPHTS | 8541210101 |
KRHTS | 8541219000 |
MXHTS | 85412101 |
ECCN | EAR99 |