数据规格
产品属性 | 属性值 |
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封装 | Reel |
标准包装数量 | 3000 |
Rohs | 是 |
制造商 | Nexperia |
产品种类 | MOSFET |
技术 | Si |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 / 箱体 | DFN-2020-6 |
晶体管极性 | N-Channel |
通道数量 | 1 Channel |
Vds-漏源极击穿电压 | 20 V |
Id-连续漏极电流 | 12.9 A |
Rds On-漏源导通电阻 | 10 mOhms |
Vgs - 栅极-源极电压 | 12 V |
Vgs th-栅源极阈值电压 | 650 mV |
Qg-栅极电荷 | 23 nC |
最小工作温度 | - 55 C |
最大工作温度 | + 150 C |
Pd-功率耗散 | 12.5 W |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |
晶体管类型 | 1 N-Channel |
下降时间 | 50 ns |
上升时间 | 35 ns |
子类别 | MOSFETs |
典型关闭延迟时间 | 54 ns |
典型接通延迟时间 | 13 ns |
零件号别名 | 934066863115 |
单位重量 | 7.400 mg |
数据表
数据表 | 数据表(PDF) |
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产品合规性
CNHTS | 8541290000 |
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USHTS | 8541290095 |
JPHTS | 854129000 |
KRHTS | 8541299000 |
MXHTS | 8541299900 |
ECCN | EAR99 |