数据规格
产品属性 | 属性值 |
---|---|
封装 | Reel |
标准包装数量 | 10000 |
Rohs | 是 |
制造商 | Nexperia |
产品种类 | MOSFET |
技术 | Si |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 / 箱体 | DFN-0606-3 |
晶体管极性 | N-Channel |
通道数量 | 1 Channel |
Vds-漏源极击穿电压 | 20 V |
Id-连续漏极电流 | 800 mA |
Rds On-漏源导通电阻 | 620 mOhms |
Vgs - 栅极-源极电压 | 8 V |
Vgs th-栅源极阈值电压 | 0.45 V |
Qg-栅极电荷 | 0.31 nC |
最小工作温度 | - 55 C |
最大工作温度 | + 150 C |
Pd-功率耗散 | 625 mW |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |
晶体管类型 | 1 N-Channel |
正向跨导 - 最小值 | 1.1 S |
下降时间 | 36 ns |
上升时间 | 3 ns |
子类别 | MOSFETs |
典型关闭延迟时间 | 9 ns |
典型接通延迟时间 | 1 ns |
零件号别名 | 934660487125 |
单位重量 | 0.447 mg |
数据表
数据表 | 数据表(PDF) |
---|
产品合规性
CNHTS | 8541210000 |
---|---|
USHTS | 8541210095 |
TARIC | 8541290000 |
ECCN | EAR99 |